Транзистор BSP52T1G
BSP52T1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-223
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.25 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 90 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 200 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 2000
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор BSP52T1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BDX44 |
PTH |
NPN |
1.25 |
100 |
80 |
5 |
1 |
250 |
2000 |
- |
150 |
TO-126 |
| BSP52T3G |
SMD |
NPN |
1.25 |
90 |
80 |
5 |
1 |
200 |
2000 |
- |
150 |
SOT-223 |