Транзистор BTB1184J3S

BTB1184J3S - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 15 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 80 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 270
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 35 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTB1184J3S можно заменить на:

Нет элементов для замены