Транзистор BTB826M3

BTB826M3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 2 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 50 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 30 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 180 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 180
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 20 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTB826M3 можно заменить на:

Нет элементов для замены