Транзистор BTD1768S3

BTD1768S3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-323

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 180
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTD1768S3 можно заменить на:

Нет элементов для замены