Транзистор BTD8530F3

BTD8530F3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 100 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 250 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 250 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 10 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 2000
• Емкость коллекторного перехода, Cc: -
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTD8530F3 можно заменить на:

Нет элементов для замены