Транзистор BTN853L3

BTN853L3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 2 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5.2 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 75 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTN853L3 можно заменить на:

Нет элементов для замены