Справочник электронных компонентов

Транзистор BTP955M3

BTP955M3 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 2.1 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 140 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 120 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 35 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTP955M3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BTP2014L3	SMD	PNP	3	180	140	7	4	120	100	31	150	SOT-223
CZT955	SMD	PNP	3	180	140	7	4	200	100	33	150	SOT-223
DXT2014P5	SMD	PNP	3.2	180	140	7	4	120	100	33	150	PowerDI5
PZT559A	SMD	PNP	3	180	140	7	4	120	100	33	150	SOT-223
UP2855	SMD	PNP	3	180	140	7	4	120	100	33	150	SOT-223