Справочник электронных компонентов

Транзистор BUT11F

BUT11F - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: SOT-186A

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 850 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 9 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 30
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BUT11F можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
3DD4550_A4	SMD	NPN	40	1050	450	18	5	-	48	-	150	TO-252
3DD4550A4	SMD	NPN	40	1050	450	18	5	-	48	-	150	TO-252
3DD742A8	PTH	NPN	70	1050	400	12	5	-	48	-	150	TO-220AB
BU426AF	PTH	NPN	70	900	400	10	8	3	60	-	150	TO-3P
BU426F	PTH	NPN	70	900	400	10	8	3	60	-	150	TO-3P
BUS11	PTH	NPN	100	850	400	9	5	-	30	-	200	TO-3
BUS11A	PTH	NPN	100	1000	450	9	5	-	30	-	200	TO-3
BUS11B	PTH	NPN	100	1000	600	9	5	-	30	-	200	TO-3
BUS12	PTH	NPN	125	850	400	9	8	-	30	-	200	TO-3
BUS12A	PTH	NPN	125	850	400	9	8	-	30	-	200	TO-3
BUS12B	PTH	NPN	125	1000	600	9	8	-	30	-	175	TO-3
BUS13	PTH	NPN	175	850	400	9	15	-	30	-	200	TO-3
BUS13A	PTH	NPN	175	850	400	9	15	-	30	-	200	TO-3