Транзистор CHT856BGP-R
CHT856BGP-R - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: J11
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.3 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 65 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.1 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 200 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 220
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 3 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор CHT856BGP-R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CHT856BGP-S |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
420 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BPT-R |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
220 |
3 |
150 |
SOT-23 |
| CHT856BPT-S |
SMD |
PNP |
0.3 |
80 |
65 |
5 |
0.1 |
200 |
420 |
3 |
150 |
SOT-23 |