Справочник электронных компонентов

Транзистор CL855B

CL855B - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-92

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.625 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 150
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц

Транзистор CL855B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA2205-E	PTH	PNP	0.8	100	100	7	2	300	200	20	150	TO-251
2SA2205-TL-E	SMD	PNP	0.8	100	100	7	2	300	200	20	150	TO-252
2SB1572-Y	SMD	PNP	2	80	60	5	3	160	160	45	150	SOT-89
2SB1572-Z	SMD	PNP	2	80	60	5	3	160	200	45	150	SOT-89
BTB1236AM3	SMD	PNP	2	180	160	5	1.5	180	180	24	150	SOT-89
CL855C	PTH	PNP	0.625	80	60	-	1.5	150	200	-	125	TO-92
CSA1220AY	PTH	PNP	1.2	160	160	5	2.5	175	160	26	150	TO-126