Справочник электронных компонентов

Транзистор CMBA847G

CMBA847G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.15 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 50 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 200 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 400
Емкость коллекторного перехода, Cc: 3.5 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CMBA847G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC2320L	PTH	NPN	0.3	50	50	6	0.2	200	800	2.5	175	TO-92
2SC3330M-V	SMD	NPN	0.2	60	50	6	0.2	200	400	3	150	SOT-23
2SC3330V	PTH	NPN	0.3	60	50	6	0.2	200	400	3	150	SPA
2SC3331V	PTH	NPN	0.5	60	50	6	0.2	200	400	3	150	TO-92
CMBT847G	SMD	NPN	0.15	50	50	6	0.2	200	400	2.5	150	SOT-23