Транзистор CXT591E

CXT591E - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.2 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 10 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CXT591E можно заменить на:

Нет элементов для замены