Транзистор CZT5551E

CZT5551E - транзистор биполярный кремниевый структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-223

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 2 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 250 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 220 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор CZT5551E можно заменить на:

Нет элементов для замены