Транзистор DXT2013P5
DXT2013P5 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PowerDI5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 3.2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 125 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: -
Транзистор DXT2013P5 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BTB4511J3 |
SMD |
PNP |
20 |
140 |
100 |
6 |
5 |
125 |
100 |
65 |
150 |
TO-252 |
| CTLT953-M833 |
SMD |
PNP |
4.5 |
140 |
100 |
6 |
5 |
150 |
100 |
45 |
150 |
TLM833 |
| CTLT953-M833S |
SMD |
PNP |
4.5 |
140 |
100 |
6 |
5 |
150 |
100 |
45 |
150 |
TLM833S |
| ZXT953K |
SMD |
PNP |
3.2 |
- |
100 |
- |
5 |
125 |
100 |
- |
- |
TO-252 |