Транзистор EC4H09C
EC4H09C - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: ECSP1008-4
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.12 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 10 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 3.5 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 2.5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.04 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 20000 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 70
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор EC4H09C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BFU660F |
SMD |
NPN |
0.225 |
16 |
5.5 |
2.5 |
0.06 |
21000 |
90 |
- |
150 |
SOT-343F |