Справочник электронных компонентов

Транзистор ESM12B

ESM12B - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-66

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 25 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 60 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 50
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор ESM12B можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N5004	Болт	NPN	33	100	80	6	5	60	70	-	200	TO-59
2N5285	Болт	NPN	50	120	80	6	5	70	70	250	200	TO-59
2N5610	PTH	NPN	25	100	80	6	5	60	70	-	200	TO-66
2N5618	PTH	NPN	50	100	80	6	5	60	70	-	200	TO-3
2SC3258	PTH	NPN	25	100	80	7	5	60	70	80	200	TO-220
2SC3258O	PTH	NPN	25	100	80	7	5	60	70	80	200	TO-220
2SC3258Y	PTH	NPN	25	100	80	7	5	60	120	80	200	TO-220
BLY25	Болт	NPN	30	80	80	6	5	70	100	-	200	TO-59
ZBD853	PTH	NPN	25	200	100	6	4	130	100	35	200	TO-126
ZBD857	PTH	NPN	25	330	300	6	3	80	100	11	200	TO-126