Справочник электронных компонентов

Транзистор FGT8766

FGT8766 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 350 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 350 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц

Транзистор FGT8766 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FGT8766A	PTH	NPN	150	350	350	-	10	-	100	-	200	TO-3
FGT8766B	PTH	NPN	150	400	400	-	10	-	100	-	200	TO-3
FGT8766C	PTH	NPN	150	400	400	-	10	-	100	-	200	TO-3
FGT8766D	PTH	NPN	150	450	450	-	10	-	100	-	200	TO-3
FGT8766E	PTH	NPN	150	450	450	-	10	-	100	-	200	TO-3
MJ10012	PTH	NPN	175	550	400	8	10	-	300	350	200	TO-3