Транзистор FSB660A
FSB660A - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SSOT-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 75 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 250
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 30 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор FSB660A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB892U |
PTH |
PNP |
1 |
60 |
60 |
7 |
2 |
150 |
280 |
12 |
150 |
TO-92 |