Транзистор FZT855

FZT855 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-236

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 3 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 250 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 150 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 90 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 22 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор FZT855 можно заменить на:

Нет элементов для замены