Транзистор GES1613R
GES1613R - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 120 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 80 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор GES1613R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N2102A |
PTH |
NPN |
1 |
120 |
65 |
7 |
1 |
120 |
40 |
8 |
200 |
TO-5 |
| 2N2896X |
PTH |
NPN |
1.8 |
140 |
90 |
7 |
1 |
90 |
60 |
15 |
200 |
TO-18 |
| MMBT1613R |
SMD |
NPN |
1 |
120 |
50 |
7 |
0.6 |
80 |
40 |
25 |
175 |
TO-236 |
| MP1613R |
SMD |
NPN |
1 |
120 |
50 |
7 |
0.6 |
80 |
40 |
25 |
175 |
TO-236 |