Транзистор GES3251A
GES3251A - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.36 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.2 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 300 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц
Транзистор GES3251A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N3251A |
PTH |
PNP |
0.36 |
60 |
60 |
5 |
0.2 |
300 |
100 |
6 |
200 |
TO-18 |
| MMBT3251A |
SMD |
PNP |
0.36 |
60 |
60 |
5 |
0.2 |
300 |
100 |
6 |
200 |
TO-236 |
| MP3251A |
SMD |
PNP |
0.36 |
60 |
60 |
5 |
0.2 |
300 |
100 |
6 |
200 |
TO-236 |