Транзистор GES5401R
GES5401R - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 160 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 150 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 90
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 10 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор GES5401R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2N3637 |
PTH |
PNP |
1 |
175 |
175 |
5 |
1 |
200 |
100 |
10 |
200 |
TO-5 |
| 2N3637S |
PTH |
PNP |
1 |
175 |
175 |
5 |
1 |
200 |
100 |
10 |
175 |
TO-5 |
| MM1739 |
PTH |
PNP |
1 |
175 |
175 |
5 |
1 |
200 |
100 |
10 |
200 |
TO-5 |
| MMBT5401R |
SMD |
PNP |
0.2 |
160 |
150 |
5 |
0.6 |
100 |
90 |
10 |
175 |
SOT-23 |
| MP5401R |
SMD |
PNP |
0.2 |
160 |
150 |
5 |
0.6 |
100 |
90 |
10 |
175 |
SOT-23 |