Транзистор GS8550T
GS8550T - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-226AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.625 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.8 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 45
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 9 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор GS8550T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HE8551 |
PTH |
PNP |
0.9 |
40 |
25 |
6 |
1.5 |
100 |
85 |
9 |
150 |
TO-92NL,TO-92 |