Справочник электронных компонентов

Транзистор HEPS5011

HEPS5011 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-66

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 10 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 300 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 300 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 10 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 115
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 140 гр.Ц

Транзистор HEPS5011 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC3154	PTH	NPN	70	900	800	7	1.5	15	150	-	150	TO-3
2SC4427	PTH	NPN	50	1100	800	-	4.5	15	200	-	175	TO-218
2SC4599	PTH	NPN	40	800	500	-	3	18	120	-	150	TO-218
2SC4600	PTH	NPN	50	800	500	-	5	18	200	-	150	TO-218
2SC4601	PTH	NPN	40	1100	800	-	1.5	15	200	-	150	TO-218
2SC4602	PTH	NPN	50	1100	800	-	3	15	350	-	150	TO-218
D42T8	PTH	NPN	15	400	300	5	2	20	150	125	150	TO-202
D44T8	PTH	NPN	31	400	300	5	2	25	150	50	150	TO-220
T2096	PTH	NPN	15	800	400	8	2	20	120	20	150	TO-251,TO-252
U2TD430	PTH	NPN	15	350	300	5	2	20	300	100	150	TO-202