Справочник электронных компонентов

Транзистор HJ3669

HJ3669 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.25 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
Емкость коллекторного перехода, Cc: 30 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор HJ3669 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC6095-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	80	6.5	2.5	350	300	14	150	SOT-89
2SC6096-TD-E	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
2SC6096-TD-H	SMD	NPN	3.5	120	100	6.5	2	300	300	13	150	SOT-89
BTN1053I3	PTH	NPN	10	150	80	6	2.5	140	300	23	150	TO-251
HI3669	PTH	NPN	1.25	80	80	5	2	100	300	30	150	TO-251
PBSS305NX	SMD	NPN	2.1	80	80	5	4.6	110	300	30	150	SOT-89
PBSS305NZ	SMD	NPN	2	80	80	5	5.1	110	300	30	150	SOT-223