Транзистор HM112
HM112 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 1.2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 4 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор HM112 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BTD2195M3 |
SMD |
NPN |
2 |
130 |
120 |
5 |
4 |
- |
1000 |
200 |
150 |
SOT-89 |
| CHT122ZGP |
SMD |
NPN |
2 |
100 |
100 |
5 |
5 |
4 |
1000 |
200 |
150 |
SOT-223 |
| CHT122ZPT |
SMD |
NPN |
2 |
100 |
100 |
5 |
5 |
4 |
1000 |
200 |
150 |
SOT-223 |
| CSD611 |
PTH |
NPN |
2 |
110 |
110 |
5 |
6 |
40 |
2000 |
55 |
150 |
TO-220 |
| MJD122I |
PTH |
NPN |
1.5 |
100 |
100 |
5 |
8 |
- |
1000 |
200 |
150 |
TO-251 |