Справочник электронных компонентов

Транзистор KSB1151G

KSB1151G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-126

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 200
Емкость коллекторного перехода, Cc: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор KSB1151G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA2183	PTH	PNP	20	60	60	7	5	170	200	38	150	TO-220SIS
2SB1031	PTH	PNP	100	100	100	7	15	-	1000	-	150	TO-3P
2SB1031K	PTH	PNP	100	100	100	7	15	-	1000	-	150	TO-3P
2SB1032	PTH	PNP	80	120	100	7	10	-	1000	-	150	TO-3P
2SB1032K	PTH	PNP	80	120	100	7	10	-	1000	-	150	TO-3P
2SB1078	PTH	PNP	40	120	120	7	8	-	1000	-	175	TO-220
2SB1078K	PTH	PNP	40	120	120	7	8	-	1000	-	175	TO-220
2SB1466	PTH	PNP	100	100	100	7	15	-	1000	-	150	TO-247
2SB791K	PTH	PNP	40	120	120	7	8	-	1000	-	150	TO-220