Транзистор KTD1003C

KTD1003C - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 50 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: -
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 250 МГц
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 2000
• Емкость коллекторного перехода, Cc: -
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор KTD1003C можно заменить на:

Нет элементов для замены