Справочник электронных компонентов

Транзистор L2SB1197KRLT1G

L2SB1197KRLT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 32 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.8 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 200 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 180
Емкость коллекторного перехода, Cc: 12 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор L2SB1197KRLT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SAR513P	SMD	PNP	0.5	50	50	6	1	400	180	12	150	MPT3
2SAR513PFRA	SMD	PNP	0.5	50	50	6	1	400	180	12	150	SOT-89
2SAR513R	SMD	PNP	0.5	50	50	6	1	400	180	12	150	SC-96
2SB1197KRLT1	SMD	PNP	0.2	40	32	5	0.8	200	180	12	150	SOT-23
2SB1691	SMD	PNP	0.8	60	50	6	1	310	200	9.8	150	MPAK
BCW68H	SMD	PNP	0.33	60	45	5	0.8	200	250	6	150	SOT-23
CPH3116	SMD	PNP	0.9	50	50	5	1	420	200	9	150	CPH3
HABCW68H	SMD	PNP	0.33	60	45	5	0.8	200	250	6	150	SOT-23
KTA1551T	SMD	PNP	0.9	50	50	5	1	420	200	9	150	TSM
MCH6103	SMD	PNP	1	80	50	5	1	420	200	9	150	MCPH6
STA3073F	SMD	PNP	1	120	120	6	1	240	200	10	150	SOT-89