Транзистор LMBTH10QLT1G
LMBTH10QLT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 3 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.05 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 650 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 0.7 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор LMBTH10QLT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMBTA10Q |
SMD |
NPN |
0.225 |
30 |
25 |
3 |
0.1 |
650 |
120 |
0.7 |
150 |
SOT-23 |