Транзистор MG100G1FL1

MG100G1FL1 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

• Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
• Корпус: X99

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 600 Вт
• Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 600 В
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 600 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
• Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 100 А
• Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
• Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
• Емкость коллекторного перехода, Cc: 1000 пФ
• Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MG100G1FL1 можно заменить на:

Нет элементов для замены