Транзистор MG200H1AL1
MG200H1AL1 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
- Корпус: X99
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 800 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 600 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 550 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 200 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 80
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 1000 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MG200H1AL1 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MJ200AA55 |
Модуль |
NPN |
800 |
600 |
600 |
6 |
200 |
- |
80 |
1000 |
150 |
X99 |