Транзистор MJ12010
MJ12010 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 100 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 950 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 30
- Емкость коллекторного перехода, Cc: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MJ12010 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MJ100BK100 |
Модуль |
NPN |
700 |
1000 |
1000 |
7 |
100 |
- |
100 |
- |
150 |
X99 |