Справочник электронных компонентов

Транзистор MJB44H11G

MJB44H11G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 50 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 50 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
Емкость коллекторного перехода, Cc: 130 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MJB44H11G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BTN1101E3	PTH	NPN	50	80	80	6	10	50	120	130	150	TO-220AB
BTN3501E3	PTH	NPN	50	80	80	6	10	50	40	130	150	TO-220AB
BTN3501F3	SMD	NPN	60	80	80	6	10	50	40	130	150	TO-263
D44H11E3	PTH	NPN	50	80	80	6	10	50	60	130	150	TO-220AB
D44H11G	PTH	NPN	70	80	80	5	10	50	40	90	150	TO-220
MJB44H11T4	SMD	NPN	50	80	80	5	10	50	40	130	150	TO-263
MJB44H11T4G	SMD	NPN	50	-	80	5	10	50	40	130	150	TO-263
NJVMJB44H11T4G	SMD	NPN	50	-	80	5	10	50	40	130	150	TO-263
NJW44H11	PTH	NPN	120	-	80	5	10	85	100	65	150	TO-3P
NJW44H11G	PTH	NPN	120	-	80	5	10	85	100	65	150	TO-3P
NTE377	PTH	NPN	50	-	80	5	10	50	40	130	150	TO-220