Транзистор MJD117T4
MJD117T4 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 25 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 6000
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MJD117T4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KSH117 |
SMD |
PNP |
20 |
100 |
100 |
5 |
2 |
25 |
10000 |
100 |
150 |
TO-252 |
| KSH117I |
SMD |
PNP |
20 |
100 |
100 |
5 |
2 |
25 |
10000 |
100 |
150 |
TO-252 |
| MJD117 |
PTH |
PNP |
20 |
100 |
100 |
5 |
2 |
25 |
6000 |
200 |
150 |
TO-251 |
| MJD117-1 |
SMD |
PNP |
20 |
100 |
100 |
5 |
2 |
25 |
6000 |
200 |
150 |
TO-252 |