Справочник электронных компонентов

Транзистор MJD117T4G

MJD117T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 25 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
Емкость коллекторного перехода, Cc: 200 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MJD117T4G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SB1587	PTH	PNP	75	160	150	5	8	80	5000	160	150	TO-3PF
2SB1594	PTH	PNP	150	160	160	5	10	30	3000	150	150	TO-3PL
2SB862	PTH	PNP	30	120	120	6	5	34	5000	72	150	TO-220
CFB612	PTH	PNP	60	120	120	5	6	100	2000	110	150	TO-220FP
CFB810	PTH	PNP	60	110	110	5	8	100	1000	110	150	TO-220FP
CP1016	PTH	PNP	60	160	150	5	10	65	2000	160	150	TO-3
CP107	PTH	PNP	60	140	130	5	10	65	2000	160	150	TO-220
CSB1626	PTH	PNP	30	110	110	5	6	100	5000	55	150	TO-220
MJD117-1G	PTH	PNP	20	100	100	5	2	25	1000	200	150	TO-251
MJD117G	SMD	PNP	20	100	100	5	2	25	1000	200	150	TO-252
NJVMJD117T4G	SMD	PNP	20	100	100	5	2	25	1000	200	150	TO-252
PMB1626	PTH	PNP	30	110	110	5	6	100	5000	110	150	TO-220IS