Транзистор MJD200T4G
MJD200T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 12.5 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 8 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 65 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 45
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MJD200T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BTD1805AD3 |
PTH |
NPN |
20 |
120 |
60 |
8 |
5 |
150 |
200 |
50 |
150 |
TO-126ML |
| BTD1805BT3 |
PTH |
NPN |
20 |
170 |
60 |
8 |
5 |
150 |
200 |
50 |
150 |
TO-126 |
| KSE200 |
PTH |
NPN |
15 |
40 |
25 |
8 |
5 |
65 |
45 |
80 |
150 |
TO-126 |
| KSH200 |
SMD |
NPN |
12.5 |
40 |
25 |
8 |
5 |
65 |
70 |
80 |
150 |
TO-252 |
| KSH200I |
SMD |
NPN |
12.5 |
40 |
25 |
8 |
5 |
65 |
70 |
80 |
150 |
TO-252 |
| MJD200G |
SMD |
NPN |
12.5 |
40 |
25 |
8 |
5 |
65 |
45 |
80 |
150 |
TO-252 |
| MJD200RLG |
SMD |
NPN |
12.5 |
40 |
25 |
8 |
5 |
65 |
45 |
80 |
150 |
TO-252 |