Справочник электронных компонентов

Транзистор MJD44E3T4G

MJD44E3T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 1000
Емкость коллекторного перехода, Cc: 130 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MJD44E3T4G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SD1500	PTH	NPN	40	150	100	8	10	20	3000	75	150	TO-220
BTD7521E3	PTH	NPN	80	90	90	9	10	-	1000	130	150	TO-220AB
BTD7521H8	SMD	NPN	60	100	100	7	10	-	1000	130	150	DFN5X6
BTD7521J3	SMD	NPN	30	90	90	7	10	-	1000	130	150	TO-252
D44E3	PTH	NPN	50	80	80	7	10	25	3000	130	150	TO-220
NJVMJD44E3T4G	SMD	NPN	20	-	80	7	10	-	1000	130	150	TO-252