Транзистор MJD45H11RLG
MJD45H11RLG - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 8 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 90 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 130 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MJD45H11RLG можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MJD45H11-1G |
PTH |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
40 |
130 |
150 |
TO-251 |
| MJD45H11G |
SMD |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
40 |
130 |
150 |
TO-252 |
| MJD45H11T4G |
SMD |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
40 |
130 |
150 |
TO-252 |
| NJVMJD45H11G |
SMD |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
60 |
130 |
150 |
TO-252 |
| NJVMJD45H11RLG |
SMD |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
40 |
130 |
150 |
TO-252 |
| NJVMJD45H11T4G |
SMD |
PNP |
20 |
80 |
80 |
5 |
8 |
90 |
40 |
130 |
150 |
TO-252 |