Транзистор MJD6039T4G
MJD6039T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 20 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 4 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: -
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 500
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 100 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MJD6039T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1616 |
PTH |
PNP |
30 |
80 |
80 |
7 |
4 |
20 |
1000 |
22 |
150 |
TO-220F |
| CFB1342 |
PTH |
PNP |
60 |
80 |
80 |
7 |
4 |
12 |
1000 |
45 |
150 |
TO-220FP |
| D45D5 |
PTH |
PNP |
30 |
90 |
80 |
5 |
6 |
20 |
2000 |
75 |
150 |
TO-220AB |
| D45D6 |
PTH |
PNP |
30 |
90 |
80 |
5 |
6 |
20 |
2000 |
75 |
150 |
TO-220AB |