Справочник электронных компонентов

Транзистор MJE170

MJE170 - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-126

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 12 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 60 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 7 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 3 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 50 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 50
Емкость коллекторного перехода, Cc: 60 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MJE170 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SA2183	PTH	PNP	20	60	60	7	5	170	200	38	150	TO-220SIS
BTB1424FP	PTH	PNP	30	60	60	7	3	240	160	35	150	TO-220FP
KSE170	PTH	PNP	12.5	60	40	7	3	50	50	50	150	TO-126
KSE171	PTH	PNP	12.5	80	60	7	3	50	50	50	150	TO-126
KSE172	PTH	PNP	12.5	100	80	7	3	50	50	50	150	TO-126
MJE171	PTH	PNP	12	80	60	7	3	50	50	60	150	TO-126
MJE172	PTH	PNP	12	100	80	7	3	50	50	60	150	TO-126
TTA009	SMD	PNP	12	80	80	7	3	100	100	25	150	NEWPWMOLD