Справочник электронных компонентов

Транзистор MMBT5551LT1

MMBT5551LT1 - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-323

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 80
Емкость коллекторного перехода, Cc: 10 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор MMBT5551LT1 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SC3648R	SMD	NPN	0.5	180	160	6	0.7	120	100	8	175	SOT-89
2SC3648S	SMD	NPN	0.5	180	160	6	0.7	120	140	8	175	SOT-89
2SC3648T	SMD	NPN	0.5	180	160	6	0.7	120	200	8	175	SOT-89
GES5551	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	80	10	175	SOT-23
GES5551R	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	100	10	175	SOT-23
MMBT5551	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	80	10	175	SOT-23
MMBT5551R	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	100	10	175	SOT-23
MP5551	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	80	10	175	SOT-23
MP5551R	SMD	NPN	0.2	180	160	5	0.6	100	100	10	175	SOT-23