Транзистор MMBT5551T
MMBT5551T - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 160 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 50 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 50
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 2.2 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMBT5551T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 3DG5551 |
PTH |
NPN |
0.625 |
180 |
160 |
6 |
0.6 |
50 |
50 |
2.2 |
150 |
TO-92 |