Справочник электронных компонентов

Транзистор MMBT6427LT1G

MMBT6427LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.225 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 12 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 130 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 10000
Емкость коллекторного перехода, Cc: 7 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMBT6427LT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N6426	PTH	NPN	0.625	40	40	12	0.5	150	20000	7	150	TO-92
2N6427	PTH	NPN	0.625	40	40	12	0.5	130	10000	7	150	TO-92
2SC1754	PTH	NPN	0.625	40	40	12	0.5	150	30000	7	180	TO-92
BC617	PTH	NPN	0.625	50	40	12	1	150	10000	4.5	150	TO-92
CMST6427E	SMD	NPN	0.275	60	40	12	0.5	200	15000	7	150	SOT-323
MMBT6427L	SMD	NPN	0.3	40	40	12	0.5	130	20000	7	150	SOT-23
SMBT6427	SMD	NPN	0.36	40	40	12	0.5	130	10000	7	150	SOT-23