Справочник электронных компонентов

Транзистор MMBT6429LT1G

MMBT6429LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.225 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 55 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 45 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.2 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 500
Емкость коллекторного перехода, Cc: 3 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMBT6429LT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
LMBT6429LT1G	SMD	NPN	0.225	55	45	6	0.2	100	500	3	150	SOT-23
MMBT6429	SMD	NPN	0.3	55	45	6	0.2	100	500	3	150	SOT-23
NSVMMBT6429LT1G	SMD	NPN	0.23	55	45	6	0.2	100	500	3	150	SOT-23
SMBT6429	SMD	NPN	0.33	55	45	6	0.2	100	500	3	150	SOT-23