Справочник электронных компонентов

Транзистор MMBT8099LT1G

MMBT8099LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.225 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MMBT8099LT1G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2SCR514P	SMD	NPN	0.5	80	80	6	0.7	320	120	6	150	MPT3
2SCR514PFRA	SMD	NPN	0.5	80	80	6	0.7	320	120	6	150	SOT-89
2SCR514R	SMD	NPN	0.5	80	80	6	0.7	320	120	6	150	TSMT3
CTLT8099-M322S	SMD	NPN	1.45	80	80	6	0.5	150	100	6	150	TLM322S
KSP8099	PTH	NPN	0.625	80	80	6	0.5	150	100	6	150	TO-92