Транзистор MMBTH10-4LT1G
MMBTH10-4LT1G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.225 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 30 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 3 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.004 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 650 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 120
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 0.7 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMBTH10-4LT1G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 40897 |
PTH |
NPN |
0.36 |
50 |
40 |
4 |
0.03 |
1400 |
120 |
0.4 |
150 |
TO-18 |
| MMBTH10LT1G |
SMD |
NPN |
0.225 |
30 |
25 |
3 |
0.004 |
650 |
120 |
0.7 |
150 |
SOT-23 |