Транзистор MMSS8550W-J
MMSS8550W-J - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-323
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.2 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 25 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 1.5 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 300
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMSS8550W-J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SB1076M |
PTH |
PNP |
1 |
40 |
40 |
5 |
2 |
150 |
1000 |
11 |
150 |
ATR |
| FMMT720 |
SMD |
PNP |
0.625 |
40 |
40 |
5 |
1.5 |
150 |
300 |
15 |
150 |
TO-236 |
| FMMT722 |
SMD |
PNP |
0.625 |
70 |
70 |
5 |
1.5 |
150 |
300 |
20 |
150 |
TO-236 |
| PXT8550-D3 |
SMD |
PNP |
0.5 |
40 |
25 |
5 |
1.5 |
100 |
300 |
15 |
150 |
SOT-89 |
| SS8550-J |
SMD |
PNP |
0.3 |
40 |
25 |
5 |
1.5 |
100 |
300 |
20 |
150 |
SOT-23 |