Справочник электронных компонентов

Транзистор MPS8099G

MPS8099G - Транзистор кремниевый биполярный структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-92

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.63 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.5 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 150 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 8 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MPS8099G можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
2N3499	PTH	NPN	1	100	100	6	0.5	150	100	8	200	TO-5
2N3499S	PTH	NPN	1	100	100	6	0.5	150	100	8	200	TO-31
2N3501	PTH	NPN	1	150	150	6	0.6	150	100	8	180	TO-5
2N3501S	PTH	NPN	1	150	150	6	0.6	150	100	8	180	TO-31
CTLT8099-M322S	SMD	NPN	1.45	80	80	6	0.5	150	100	6	150	TLM322S
KSP8099	PTH	NPN	0.625	80	80	6	0.5	150	100	6	150	TO-92
MPS8099RLRPG	PTH	NPN	0.63	80	80	6	0.5	150	100	8	150	TO-92