Транзистор NJVMJB45H11T4G
NJVMJB45H11T4G - Транзистор кремниевый биполярный структуры PNP
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 50 Вт
- Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: -
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 80 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 10 А
- Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 40 МГц
- Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 40
- Емкость коллекторного перехода, Cc: 230 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор NJVMJB45H11T4G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pc, Вт |
Vcb, В |
Vce, В |
Veb, В |
Ic, А |
Ft, МГц |
Hfe |
Cc, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SA1146 |
PTH |
PNP |
100 |
140 |
140 |
5 |
10 |
70 |
120 |
220 |
175 |
TOP-3 |
| 2SA1186 |
PTH |
PNP |
100 |
150 |
150 |
5 |
10 |
60 |
50 |
110 |
150 |
TO-3P |
| 2SA1186O |
PTH |
PNP |
100 |
150 |
150 |
5 |
10 |
60 |
50 |
110 |
150 |
TO-3P |
| 2SA1186P |
PTH |
PNP |
100 |
150 |
150 |
5 |
10 |
60 |
70 |
110 |
150 |
TO-3P |
| 2SA1186Y |
PTH |
PNP |
100 |
150 |
150 |
5 |
10 |
60 |
90 |
110 |
150 |
TO-3P |
| D45H11E3 |
PTH |
PNP |
50 |
80 |
80 |
5 |
10 |
40 |
40 |
230 |
150 |
TO-220 |
| D45H11G |
PTH |
PNP |
70 |
80 |
80 |
5 |
10 |
40 |
40 |
160 |
150 |
TO-220 |
| MJB45H11G |
SMD |
PNP |
50 |
- |
80 |
5 |
10 |
40 |
40 |
230 |
150 |
TO-263 |
| MJB45H11T4G |
SMD |
PNP |
50 |
- |
80 |
5 |
10 |
40 |
40 |
230 |
150 |
TO-263 |
| NTE378 |
PTH |
PNP |
50 |
- |
80 |
5 |
10 |
40 |
40 |
230 |
150 |
TO-220 |